ムライト格子内の AL3+ と Si4+ の相互拡散速度が低いため、ムライト粉末を原料として電気溶解および焼結法で得られるムライトの焼結特性は劣ります。高性能のムライトを得るには、その焼成温度は約 1700 度です。このような高い焼成温度は、製造コストを大幅に増加させる。そのため、添加原料を精製したり、焼結助剤を導入したりすることで焼成温度を下げることが行われてきました。しかし、原料の精製による焼結性能の向上には限界があります。したがって、焼結助剤（TiO2、Y2O3、MnO）は主にムライト固溶体中のAI3+を置換するために導入され、ムライト結晶の結晶格子歪みを引き起こし、格子を活性化するか、または低温液相を形成して拡散係数を増加させ、ムライトの焼結温度を低下させます。
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